VDO logo
Tin công nghệ 09-10-2026

Samsung HBM4E được báo cáo đã vượt qua kiểm định của NVIDIA cho GPU Rubin Ultra

Samsung Electronics được cho là đã đạt một cột mốc quan trọng trong cuộc cạnh tranh trên thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM), khi thế hệ HBM4E 12-Hi được báo cáo đã vượt qua quá trình kiểm định của NVIDIA và một số khách hàng trung tâm dữ liệu lớn.

Theo Hankyung, quá trình qualification đối với HBM4E 12-Hi của Samsung với NVIDIA và một số khách hàng hyperscaler được hoàn tất vào cuối tháng 9. Nếu thông tin này chính xác, đây có thể là bước tiến đáng chú ý giúp Samsung cải thiện vị thế trong chuỗi cung ứng HBM cho các thế hệ GPU AI tiếp theo.

Tuy nhiên, cần lưu ý rằng đây mới là thông tin được báo cáo. Hankyung cho biết Samsung chưa xác nhận việc hoàn tất qualification HBM4E. Các thông tin về sản lượng cung ứng, giá trị hợp đồng và lịch giao hàng số lượng lớn cũng chưa được công bố.

HBM4E 12-Hi đạt 48 GB mỗi stack

Samsung HBM4E được phát triển nhằm đáp ứng yêu cầu ngày càng cao về băng thông bộ nhớ của các hệ thống AI accelerator.

Phiên bản HBM4E 12-Hi hiện được Samsung cung cấp có dung lượng 48 GB mỗi stack, sử dụng 2.048 chân kết nối và đạt tốc độ ổn định 14 Gbps trên mỗi pin. Ở mức này, mỗi stack có thể đạt băng thông tối đa khoảng 3,6 TB/s.

Samsung cũng cho biết HBM4E có khả năng mở rộng lên 16 Gbps mỗi pin. Khi đạt tốc độ này, băng thông của một stack có thể tăng lên khoảng 4 TB/s.

Với các AI accelerator sử dụng nhiều stack HBM, tổng băng thông bộ nhớ có thể đạt mức rất cao, đáp ứng nhu cầu truyền dữ liệu ngày càng lớn của các workload AI.

Ngoài cấu hình 12-Hi 48 GB, Samsung được cho là cũng đang chuẩn bị các cấu hình khác theo yêu cầu của khách hàng, bao gồm 8-Hi 32 GB và 16-Hi 64 GB.

HBM4E sử dụng DRAM 1c và base die 4 nm

Về kiến trúc, HBM4E của Samsung kết hợp DRAM 10 nm-class thế hệ thứ sáu (1c) với logic base die 4 nm do Samsung Foundry sản xuất.

Việc sử dụng base die 4 nm là một điểm đáng chú ý trong quá trình phát triển HBM4E, khi logic die ngày càng đóng vai trò quan trọng đối với hiệu năng, khả năng tích hợp và hiệu quả năng lượng của các stack HBM thế hệ mới.

Samsung cũng cho biết HBM4E mang đến những cải tiến về hiệu quả sử dụng điện năng và đặc tính nhiệt, hai yếu tố ngày càng quan trọng khi AI accelerator tiếp tục tăng băng thông bộ nhớ và mức tiêu thụ điện.

Samsung tăng công suất HBM4E

Samsung đã bắt đầu gửi các mẫu HBM4E tới những khách hàng lớn trên toàn cầu từ tháng 5/2026.

Theo các thông tin được báo cáo, công ty dự kiến đạt sản lượng khoảng 20.000 wafer mỗi tháng trong năm 2026 và có kế hoạch tăng lên khoảng 50.000 wafer mỗi tháng trong năm 2027.

Đối với quá trình sản xuất base die, Samsung được cho là đã phân bổ khoảng một nửa công suất của node 4 nm SF4 cho việc sản xuất logic base die dành cho HBM4E.

Việc mở rộng công suất diễn ra trong bối cảnh nhu cầu HBM phục vụ AI accelerator tiếp tục tăng mạnh, đặc biệt khi các nhà sản xuất GPU và các hyperscaler triển khai những thế hệ hệ thống AI có quy mô lớn hơn.

Cơ hội mới trong cuộc đua HBM

Samsung đang cạnh tranh trực tiếp với SK hynix và Micron trên thị trường HBM, vốn đã trở thành một trong những thành phần quan trọng nhất của hạ tầng AI.

Trước đó, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 và phát triển sản phẩm hướng tới nền tảng NVIDIA Vera Rubin, sau đó tiếp tục đẩy nhanh việc cung cấp mẫu HBM4E cho khách hàng.

Nếu thông tin về việc HBM4E vượt qua qualification của NVIDIA được xác nhận, Samsung sẽ có thêm cơ sở để tham gia sâu hơn vào nguồn cung HBM cho các thế hệ AI accelerator tiếp theo.

Đáng chú ý, bài viết của TechPowerUp cũng đề cập tới khả năng xuất hiện những thiết kế HBM được tùy biến sâu hơn, trong bối cảnh NVIDIA đang phát triển các công nghệ bộ nhớ như NVHBM. Điều này cho thấy cuộc cạnh tranh trên thị trường HBM không chỉ tập trung vào dung lượng và băng thông, mà còn đang mở rộng sang mức độ tùy biến và tích hợp giữa bộ nhớ, logic base die và AI accelerator.

Chưa thể kết luận về đơn hàng thương mại

Việc vượt qua qualification là một bước quan trọng, nhưng không đồng nghĩa với việc Samsung đã nhận được đơn hàng lớn từ NVIDIA.

Ở thời điểm hiện tại, chưa có xác nhận công khai về khối lượng HBM4E NVIDIA sẽ đặt mua từ Samsung, giá trị hợp đồng hoặc thời điểm Samsung bắt đầu giao hàng số lượng lớn.

Do đó, nếu báo cáo của Hankyung là chính xác, cột mốc hiện tại nên được xem là một bước tiến kỹ thuật và thương mại tiềm năng của Samsung trong cuộc đua HBM4E. Quy mô đóng góp thực tế của HBM4E vào chuỗi cung ứng AI của NVIDIA sẽ phụ thuộc vào các đơn hàng và kế hoạch sản xuất tiếp theo.

Thông số đáng chú ý của Samsung HBM4E 12-Hi

  • Công nghệ: HBM4E
  • Cấu hình: 12-Hi
  • Dung lượng: 48 GB/stack
  • Tốc độ hiện tại: 14 Gbps/pin
  • Tốc độ tối đa được công bố: 16 Gbps/pin
  • Băng thông: lên tới 3,6 TB/s ở 14 Gbps; khoảng 4 TB/s ở 16 Gbps
  • DRAM: 10 nm-class thế hệ thứ sáu (1c)
  • Logic base die: 4 nm Samsung Foundry
  • Mẫu thử: bắt đầu gửi cho khách hàng từ tháng 5/2026
  • Cấu hình khác dự kiến: 8-Hi 32 GB và 16-Hi 64 GB

Nguồn: Hankyung; TechPowerUp.

 

 

Chia sẻ bài viết

Bình luận

( 0 bình luận )
Không có bình luận nào

Bình luận của bạn

Tin tức liên quan