Sản phẩm Linh kiện 17-06-2025

Cuộc đua HBM4 tăng tốc: Samsung giữ nhịp, SK Hynix và Micron vươn lên mạnh mẽ

Khi nhu cầu bộ nhớ hiệu suất cao ngày càng gia tăng trong thời đại AI, các tên tuổi lớn như Samsung, SK Hynix và Micron đang bước vào giai đoạn cạnh tranh quyết liệt với cuộc đua HBM4 – thế hệ DRAM băng thông rộng mới nhất. Trong khi SK Hynix và Micron ghi dấu với các mốc tiến triển cụ thể, Samsung vẫn kiên trì chuẩn bị cho giai đoạn tăng tốc phía trước.

Thị trường bộ nhớ DRAM đang chứng kiến những biến chuyển đáng chú ý khi thế hệ HBM4 dần trở thành trọng tâm mới trong các chiến lược phát triển sản phẩm. Mới đây, Micron, nhà sản xuất đến từ Mỹ đã công bố việc gửi mẫu thử HBM4 dung lượng 36GB với thiết kế 12 lớp đến một số khách hàng lớn. Theo Micron, sản phẩm mới đạt hiệu suất cao hơn 60% và tiết kiệm điện năng hơn 20% so với thế hệ HBM3E trước đó.

Không đứng ngoài cuộc chơi, SK Hynix từ tháng 3 đã khẳng định vị thế tiên phong bằng việc giới thiệu mẫu HBM4 đầu tiên trên thế giới. Hãng cho biết họ đã vượt tiến độ sản xuất mẫu thử và đang tiến hành thử nghiệm cùng các đối tác lớn. Kế hoạch sản xuất hàng loạt dự kiến sẽ bắt đầu trong nửa cuối năm nay.

Micron và SK Hynix đều đang xây dựng mối quan hệ hợp tác sâu rộng với các hãng công nghệ lớn, trong đó đáng chú ý là Nvidia – cái tên đang dẫn đầu về nhu cầu sử dụng bộ nhớ cho các hệ thống AI. Tại triển lãm Computex 2025, sự kiện đáng nhớ khi CEO Nvidia Jensen Huang viết “I love SK Hynix” lên sản phẩm trưng bày như một lời khẳng định cho sự tin tưởng giữa hai bên.

Samsung duy trì chiến lược thận trọng, hướng đến sản xuất HBM4 cuối năm

Trong khi các đối thủ đang có bước đi táo bạo, Samsung Electronics – công ty từng thống trị thị trường DRAM toàn cầu trong nhiều thập kỷ – vẫn đang tiếp tục hoàn thiện công nghệ HBM4 và hướng tới sản xuất hàng loạt vào cuối năm nay. Việc cân bằng giữa chất lượng, độ tin cậy và lộ trình khách hàng là ưu tiên hàng đầu trong chiến lược của hãng.

Samsung cũng đang nỗ lực vượt qua các yêu cầu kiểm định của Nvidia với dòng HBM3E, dù chưa có thông báo chính thức. Trong khi đó, SK Hynix đã bán hết sản lượng HBM3E của năm, còn Micron đang cung cấp cả hai dòng 8 tầng và 12 tầng cho khách hàng.

Thị phần biến động nhưng lợi thế vẫn chưa ngã ngũ

Sự vươn lên của SK Hynix và Micron đang tạo nên áp lực nhất định với Samsung. Theo dữ liệu quý I/2025 từ Omdia, SK Hynix lần đầu vượt qua Samsung về thị phần DRAM toàn cầu, đạt 36,9% so với 34,4% của Samsung. Micron giữ vị trí thứ ba với 25%, nhưng đã có bước tiến nhanh về thị phần chỉ trong vòng một năm.

Tuy nhiên, giới chuyên môn nhận định rằng thị phần là một cuộc chơi dài hạn. Samsung vẫn còn thế mạnh lớn ở mảng DRAM phổ thông và đang có thời gian để điều chỉnh chiến lược trong mảng HBM. Nếu thị trường phục hồi ổn định và các sản phẩm mới đạt được kỳ vọng, Samsung hoàn toàn có thể trở lại vị trí dẫn đầu.

Một chuyên gia trong ngành đánh giá: “Dù Micron và SK Hynix đang đi nhanh, Samsung vẫn là một lực lượng lớn với năng lực công nghệ và quy mô sản xuất mạnh mẽ. Cuộc đua HBM4 vẫn còn dài, và mọi khả năng vẫn có thể xảy ra.”

Tương lai HBM4 – Đường dài mới biết ngựa hay

Sự phát triển của HBM4 không chỉ là bước tiến công nghệ, mà còn là yếu tố quyết định vị thế của các nhà sản xuất bộ nhớ trong kỷ nguyên AI. Khi thị trường tiếp tục mở rộng và nhu cầu tăng nhanh, cả Samsung, SK Hynix và Micron đều sẽ cần chiến lược linh hoạt và đầu tư lâu dài để định hình vai trò của mình trên bản đồ bán dẫn toàn cầu.

Là đơn vị giàu kinh nghiệm trong lĩnh vực hạ tầng số và thiết bị công nghệ, Công ty Cổ phần VDO hiện là đối tác phân phối tại Việt Nam các dòng bộ nhớ HBM4 thế hệ mới từ SK hynix, Samsung và Micron. Với năng lực tư vấn, tích hợp hệ thống và tối ưu giải pháp, VDO cung cấp các sản phẩm HBM chính hãng, đáp ứng yêu cầu khắt khe về hiệu năng, độ ổn định và độ tin cậy trong các hệ thống AI, HPC và trung tâm dữ liệu.

Liên hệ với VDO ngay hôm nay để được tư vấn lựa chọn bộ nhớ HBM4 phù hợp, giúp tối ưu hiệu suất và chi phí cho hạ tầng công nghệ của bạn!