SK hynix xuất xưởng mẫu HBM4E 12 tầng, nâng băng thông lên 16Gbps và cải thiện hơn 20% hiệu quả năng lượng

Chỉ vài tuần sau khi Samsung giao những mẫu HBM4E đầu tiên vào tháng 5, SK hynix cũng nhanh chóng nhập cuộc. Theo thông báo từ công ty, nhà sản xuất bộ nhớ HBM hàng đầu đã bắt đầu xuất xưởng các mẫu HBM4E 12 tầng (12-high) cho những khách hàng lớn, cho thấy cuộc đua thương mại hóa bộ nhớ AI thế hệ mới đang tăng tốc.

SK hynix cho biết HBM4E 12 tầng của hãng đạt băng thông lên tới 16Gbps trên mỗi chân (per-pin), đồng thời cải thiện hơn 20% hiệu quả năng lượng so với thế hệ trước. Những nâng cấp này được thiết kế nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng cao của các tác vụ huấn luyện và suy luận AI.

Theo ET News, SK hynix đã chuyển sang sử dụng DRAM tiến trình 10nm thế hệ thứ sáu (1c) cho HBM4E, thay thế DRAM tiến trình 10nm thế hệ thứ năm (1b) được sử dụng từ HBM4 trở về trước. Với tiến trình tinh vi hơn, DRAM 1c cho phép tăng mật độ ô nhớ trên cùng diện tích khuôn (die), qua đó nâng cao cả dung lượng lẫn hiệu quả năng lượng.

SK hynix cũng tích hợp công nghệ đóng gói Advanced MR-MUF, giúp gia cố cấu trúc bộ nhớ xếp chồng bằng cách lấp đầy và xử lý vật liệu bảo vệ giữa các khuôn nhớ riêng lẻ. Theo ET News, công nghệ này cải thiện cả độ bền cơ học lẫn khả năng tản nhiệt. SK hynix cho biết giải pháp này cho phép đạt dung lượng 48GB trên một cụm HBM4E 12 tầng mà vẫn đảm bảo tính toàn vẹn của gói chip.

Bên cạnh đó, SK hynix cho biết khả năng tản nhiệt của HBM4E đã được cải thiện 17% so với HBM4, giúp hệ thống vận hành ổn định hơn trong các môi trường AI và điện toán hiệu năng cao (HPC).

Cuộc đua HBM4E ngày càng nóng lên

Những bước tiến của SK hynix với HBM4E tiếp tục cho thấy mức độ cạnh tranh ngày càng gay gắt trên thị trường HBM thế hệ mới. Theo ET News, Samsung đã trở thành hãng đầu tiên bắt đầu xuất xưởng số lượng lớn HBM4 từ tháng 2 và tiếp tục giao các mẫu HBM4E trong tháng trước, khẳng định tham vọng mở rộng vị thế ở thế hệ bộ nhớ tiếp theo.

Trong khi đó, SK hynix đang tận dụng kinh nghiệm từ HBM3, HBM3E và HBM4 cùng mối quan hệ chặt chẽ với các khách hàng để củng cố vị thế trong giai đoạn tiếp theo của cuộc đua HBM.

Không chỉ dừng ở HBM4E, sự chú ý của ngành cũng đang hướng tới các lộ trình công nghệ DRAM thế hệ tiếp theo. Theo ZDNet, Samsung được cho là đang hướng tới tiến trình DRAM 1d, với kế hoạch sản xuất hàng loạt sớm nhất vào nửa đầu năm 2027. Tiến trình 1d, dựa trên công nghệ 10nm thế hệ thứ bảy với kích thước mạch khoảng 10-11nm (so với 11-12nm của 1c), được kỳ vọng sẽ tiếp tục cải thiện hiệu năng và hiệu quả năng lượng, đồng thời tạo nền tảng cho lộ trình phát triển HBM5 trong tương lai.