SK hynix tăng tốc HBM4 bằng đơn hàng 44 tỷ won

Sau khi CEO NVIDIA Jensen Huang kêu gọi tăng nguồn cung HBM từ SK hynix, nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu Hàn Quốc tiếp tục có thêm động thái nhằm mở rộng năng lực sản xuất. Theo ET News, SK hynix đã đặt hàng thiết bị TC (Thermal Compression) Bonder trị giá 44,2 tỷ won từ Hanmi Semiconductor để phục vụ sản xuất bộ nhớ HBM thế hệ thứ sáu (HBM4).

TC Bonder là thiết bị quan trọng trong quy trình xếp chồng và liên kết các lớp DRAM theo chiều dọc để tạo ra bộ nhớ HBM hiệu năng cao. ET News cho biết Hanmi Semiconductor đã giới thiệu hệ thống TC Bonder 4 dành cho HBM4 từ giữa năm 2025 và tiếp tục nâng cấp thiết bị theo yêu cầu của SK hynix. Các hệ thống mới dự kiến sẽ được lắp đặt tại cơ sở đóng gói và hoàn thiện sản phẩm của SK hynix ở Cheongju.

Một báo cáo khác từ Hankyung cho biết giá trị hợp đồng tương đương khoảng 7,7% doanh thu năm 2025 của Hanmi Semiconductor. Với giá ước tính khoảng 3 tỷ won cho mỗi thiết bị TC Bonder, đơn hàng lần này được cho là bao gồm khoảng 15 hệ thống.

ET News cũng cho biết thị trường từng lo ngại SK hynix có thể gặp khó khăn trong việc mở rộng sản xuất HBM4 khi chuyển đổi từ HBM3E sang HBM4 do chi tiêu đầu tư (CapEx) được kiểm soát chặt chẽ. Tuy nhiên, đơn đặt hàng mới này được xem là tín hiệu tích cực, giúp giảm bớt những lo ngại về tiến độ tăng sản lượng HBM4.

Trước đó, theo Bloomberg, trong chuyến thăm Hàn Quốc ngày 5/6, CEO NVIDIA Jensen Huang cho biết cả ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn đều đã vượt qua các bài kiểm định HBM4 và đang bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt.

Kế hoạch mở rộng quy mô của SK hynix

Khoản đầu tư mới nhất của SK hynix cũng phù hợp với những phát biểu gần đây của Chủ tịch Tập đoàn SK, ông Chey Tae-won, tại COMPUTEX 2026. Khi đó, ông cho biết công ty đặt mục tiêu tăng gấp đôi tổng công suất sản xuất wafer trong vòng 5 năm tới.

Theo ZDNet, SK hynix đang tích cực mở rộng năng lực sản xuất DRAM tiên tiến và HBM tại nhà máy M15X ở Cheongju, đồng thời nâng công suất đóng gói và kiểm thử thông qua nhiều dự án mở rộng cơ sở Packaging & Testing (P&T).

Ở tầm nhìn dài hạn hơn, The Elec cho biết SK hynix đã xây dựng lộ trình mở rộng quy mô rất tham vọng. Công ty đặt mục tiêu nâng công suất DRAM hàng tháng từ khoảng 550.000 wafer hiện nay lên khoảng 1 triệu wafer vào năm 2030.

Phần lớn năng lực mới sẽ được triển khai tại cụm bán dẫn Yongin Semiconductor Cluster. Trong khi đó, nhà máy M15X tại Cheongju dự kiến bắt đầu vận hành vào nửa cuối năm 2026 với công suất ban đầu khoảng 40.000 wafer mỗi tháng và tăng lên khoảng 80.000 wafer mỗi tháng vào năm 2027.

Những động thái này cho thấy SK hynix đang chuẩn bị mạnh mẽ cho làn sóng nhu cầu HBM và AI thế hệ tiếp theo, trong bối cảnh các nền tảng AI quy mô lớn từ NVIDIA và các hyperscaler toàn cầu tiếp tục đòi hỏi nguồn cung bộ nhớ hiệu năng cao ngày càng lớn.