Samsung sẽ chấm dứt dây chuyền NAND 2D cuối cùng sớm nhất vào tháng 3

Trong bối cảnh nguồn cung bộ nhớ đang thắt chặt, việc cắt giảm sản lượng NAND MLC đang trở thành xu hướng rõ ràng ở các hãng sản xuất bộ nhớ lớn nhưng kỷ nguyên NAND 2D của Samsung có thể kết thúc sớm hơn dự kiến. Theo The Elec, công ty có thể dừng sản xuất NAND 2D tại Line 12 ở Hwaseong ngay từ tháng 3 và chuyển đổi cơ sở này thành nhà máy hoàn thiện (end fab) cho DRAM 1C nhằm giảm các điểm nghẽn sản xuất.

The Elec cho biết dây chuyền này có sản lượng khoảng 80.000-100.000 wafer 12 inch mỗi tháng và sẽ được chuyển sang các công đoạn DRAM giai đoạn cuối, bao gồm cả bước wiring (kết nối kim loại). Samsung đã thông báo kế hoạch đóng cửa này cho khách hàng từ năm ngoái.

Động thái này được xem là chính thức khép lại chương NAND 2D của Samsung. Công ty bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND flash 1Gb từ năm 2002 và tạo bước đột phá vào năm 2013 với sản xuất đại trà 3D V-NAND. Khoảng 13 năm sau khi lô 3D NAND đầu tiên xuất xưởng, Samsung nay sẽ đóng cửa cơ sở NAND 2D cuối cùng của mình.

Nhà máy Tây An tăng vai trò khi Hàn Quốc giảm sản lượng NAND

Theo báo cáo, phần sản lượng NAND bị cắt giảm tại Hàn Quốc sẽ được bù đắp bởi nhà máy Tây An (Xi’an) của Samsung tại Trung Quốc, nơi đang nâng cấp các dây chuyền 3D NAND lên các tiến trình thế hệ mới.

Trước đó, Global Economic đưa tin nhà máy Tây An hiện chiếm khoảng 40% tổng sản lượng NAND của Samsung đang nhanh chóng chuyển từ sản phẩm 128 lớp (thế hệ 6) lên 200 lớp và cao hơn (V8, thế hệ 8).

Samsung và SK hynix tăng tốc đầu tư DRAM 1C

Việc chuyển đổi này phù hợp với chiến lược bộ nhớ rộng hơn của Samsung, khi DRAM 1C không chỉ là nền tảng cho HBM4 thế hệ tiếp theo mà còn mở rộng sang các sản phẩm máy chủ phổ thông.

Theo The Elec, Samsung đang tăng đầu tư DRAM 1C tại Pyeongtaek và Hwaseong. Nhà máy P4 tại Pyeongtaek ban đầu được thiết kế là fab lai cho DRAM, NAND và foundry, nhưng kế hoạch gần đây được cho là đã chuyển hoàn toàn sang DRAM. Các dây chuyền cũ tại Hwaseong cũng đang được nâng cấp lên tiến trình 1C DRAM.

Đối thủ SK hynix cũng đang tăng tốc đầu tư DRAM 1C. Theo The Elec, SK hynix dự kiến đạt sản lượng 170.000–200.000 wafer/tháng cho riêng DRAM 1C tăng mạnh so với kế hoạch ban đầu 90.000 wafer/tháng vào tháng 4 năm ngoái.

Ngoài ra, SK hynix cũng đang nâng cấp fab M16, chuyển dây chuyền DRAM 1a sang 1C vào năm tới; dây chuyền 1b cũng sẽ được chuyển đổi trong cùng giai đoạn.

Trong bối cảnh đó, ngày 25/2, SK hynix cho biết sẽ đầu tư khoảng 21,6 nghìn tỷ KRW (15 tỷ USD) vào nhà máy đầu tiên tại Cụm Bán dẫn Yongin trước tháng 12/2030, nâng tổng vốn đầu tư cho cơ sở này lên khoảng 31 nghìn tỷ KRW (21,5 tỷ USD).