Samsung đặt mục tiêu sản xuất hàng loạt DRAM 1d vào cuối năm 2027, hướng tới thế hệ bộ nhớ AI HBM5

Samsung đang đẩy nhanh kế hoạch phát triển DRAM 1d, thế hệ công nghệ DRAM mới nhất của hãng, nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo. Theo truyền thông Hàn Quốc, Samsung hiện đã bắt đầu thảo luận với các đối tác về kế hoạch đầu tư thiết bị sản xuất, với mục tiêu đưa DRAM 1d vào sản xuất hàng loạt ngay từ cuối năm 2027.

Samsung chuẩn bị năng lực sản xuất cho DRAM 1d

Theo các nguồn tin trong ngành được ZDNet Korea dẫn lại, Samsung đang phối hợp với các nhà cung cấp thiết bị để phát triển dây chuyền phục vụ quá trình sản xuất DRAM 1d.

Hiện nay, các sản phẩm DRAM tiên tiến nhất của Samsung được sản xuất trên tiến trình 1c, thế hệ DRAM 10nm-class mới nhất của hãng. Công nghệ này vẫn sử dụng kiến trúc ô nhớ theo phương ngang, đồng thời phụ thuộc nhiều vào công nghệ quang khắc cực tím bước sóng siêu ngắn (EUV) và các cổng kim loại nhằm tối ưu hiệu năng cũng như tận dụng kinh nghiệm từ lĩnh vực sản xuất chip logic.

Theo kế hoạch, Samsung dự kiến sẽ bắt đầu đưa các thiết bị sản xuất DRAM 1d vào nhà máy từ quý II/2027. Nếu tiến độ diễn ra đúng như kỳ vọng, các lô chip đầu tiên có thể được sản xuất ngay trong nửa cuối năm 2027.

DRAM 1d đánh dấu bước chuyển sang kiến trúc xếp chồng theo chiều dọc

Khác với các thế hệ DRAM trước đây, DRAM 1d được xem là một bước thay đổi quan trọng về mặt công nghệ.

Thay vì bố trí các tụ điện của ô nhớ theo phương ngang như truyền thống, DRAM 1d sẽ lần đầu tiên áp dụng kiến trúc xếp chồng theo chiều dọc (vertical capacitor stacking) nhằm tăng mật độ lưu trữ và nâng cao hiệu quả sản xuất.

Bên cạnh đó, quy trình sản xuất cũng trở nên phức tạp hơn khi Samsung sử dụng một wafer riêng cho mạch ngoại vi, sau đó tích hợp với wafer chứa các ô nhớ trong giai đoạn đóng gói.

Các nguồn tin cho biết Samsung sẽ hoàn thiện kế hoạch sản xuất hàng loạt DRAM 1d vào cuối năm 2026, trước khi chính thức triển khai dây chuyền sản xuất trong năm 2027.

Hướng tới HBM5 và thế hệ AI accelerator tiếp theo

Vai trò của DRAM trong chuỗi cung ứng bán dẫn toàn cầu ngày càng trở nên quan trọng khi AI tiếp tục thúc đẩy nhu cầu đối với bộ nhớ băng thông cao (HBM).

HBM được tạo thành bằng cách xếp chồng nhiều lớp DRAM, vì vậy mọi bước tiến trong công nghệ DRAM đều có tác động trực tiếp đến hiệu năng của bộ nhớ AI.

Hiện nay, DRAM 1c của Samsung đang được sử dụng trong HBM4, trong khi giới phân tích cho rằng DRAM 1d nhiều khả năng sẽ trở thành nền tảng cho HBM5E, thế hệ bộ nhớ AI tiếp theo.

Trước đó, Samsung cũng đã lựa chọn bỏ qua các thế hệ DRAM cũ khi phát triển HBM, thay vào đó kết hợp DRAM 1c với các die logic do hãng tự sản xuất trên tiến trình 4nm.

Nếu kế hoạch được triển khai đúng tiến độ, DRAM 1d sẽ trở thành một trong những công nghệ trọng tâm giúp Samsung cạnh tranh trong cuộc đua HBM thế hệ mới, nơi nhu cầu từ các GPU AI và trung tâm dữ liệu dự kiến sẽ tiếp tục tăng mạnh trong những năm tới.