Samsung dành hơn một nửa công suất 4nm cho HBM4, áp lực foundry gia tăng

Nhu cầu HBM4 tăng mạnh đang khiến Samsung Electronics phân bổ hơn 50% công suất sản xuất 4nm cho các base die của HBM4, cho thấy AI đang tạo ra tác động ngày càng lớn lên cả thị trường memory và foundry.

Theo báo cáo của ZDNet Korea, Samsung Electronics hiện đã dành hơn 50% công suất sản xuất trên tiến trình 4nm cho việc sản xuất base die của HBM4. Một nguồn tin trong ngành cho biết các dây chuyền 4nm của Samsung hiện đang vận hành ở trạng thái full capacity, trong đó base die HBM4 chiếm khoảng 50–60% sản lượng.

Đáng chú ý, đây không phải là phần DRAM được xếp chồng trong HBM4, mà là base die nằm ở đáy của stack HBM. Base die đóng vai trò kết nối và điều phối dữ liệu giữa các lớp DRAM và hệ thống bên ngoài.

HBM4 đang kéo nhu cầu sang công nghệ logic 4nm

HBM truyền thống chủ yếu được nhìn nhận như một sản phẩm bộ nhớ. Tuy nhiên, sự phát triển của HBM4 đang khiến một phần quy trình sản xuất ngày càng phụ thuộc vào công nghệ logic tiên tiến.

Samsung xác nhận HBM4 của hãng sử dụng 1c DRAM kết hợp với 4nm logic base die. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 và xuất xưởng sản phẩm thương mại từ tháng 2/2026.

Điều này khiến HBM4 không chỉ cạnh tranh về năng lực DRAM mà còn tạo thêm nhu cầu đối với advanced foundry capacity.

Khoảng 15.000 wafer 4nm mỗi tháng cho HBM4?

ZDNet Korea ước tính các dây chuyền foundry S5 và S6 tại Pyeongtaek Campus 2 và Campus 3 của Samsung có tổng công suất 4nm khoảng 30.000 wafer/tháng.

Nếu hơn một nửa công suất được dành cho HBM4 base die, lượng wafer dành cho sản phẩm này có thể lên tới khoảng 15.000 wafer mỗi tháng. Tuy nhiên, đây là ước tính dựa trên nguồn tin trong ngành, không phải số liệu sản xuất được Samsung công bố chính thức.

Samsung đang tăng sản lượng HBM4 từ quý III/2026 nhằm đáp ứng nhu cầu từ các khách hàng AI lớn. Theo ZDNet Korea, HBM4 được kỳ vọng sẽ trở thành một trong những động lực quan trọng cho việc sử dụng công suất 4nm của Samsung trong nửa cuối năm.

Cuộc cạnh tranh HBM đang mở rộng sang foundry

Điểm đáng chú ý ở đây là HBM4 đang làm mờ ranh giới giữa memory và foundry.

Khi base die ngày càng quan trọng và yêu cầu về hiệu năng, băng thông và hiệu quả năng lượng tăng lên, các nhà sản xuất HBM không chỉ cần tối ưu DRAM mà còn phải tiếp cận những tiến trình logic tiên tiến hơn.

Samsung có lợi thế đặc biệt khi sở hữu cả memory và foundry trong cùng một hệ sinh thái. Công ty có thể phát triển DRAM, base die và sản xuất base die trên công nghệ foundry của chính mình. Samsung cũng đang chuẩn bị các thế hệ HBM tiếp theo, bao gồm HBM4E và Custom HBM.

Trong khi đó, mô hình của các đối thủ có sự khác biệt. SK hynix được cho là hợp tác với TSMC cho việc sản xuất base die, trong khi Micron sử dụng quy trình riêng.

Điều này cho thấy cuộc đua HBM thế hệ mới có thể sẽ không chỉ xoay quanh ai có DRAM tốt hơn, mà còn xoay quanh ai kiểm soát tốt hơn toàn bộ chuỗi công nghệ từ memory, logic base die đến advanced packaging.

Nguồn: ZDNet Korea, 7/9/2026; Samsung Semiconductor.