Samsung bắt đầu gửi mẫu HBM4E đầu tiên trên thế giới chỉ sau 3 tháng sản xuất HBM4, hiệu năng tăng hơn 20%

Chỉ vài tháng sau khi triển khai giao hàng HBM4 vào đầu năm 2026, Samsung đã bắt đầu cung cấp mẫu HBM4E 12 tầng đầu tiên trên thế giới cho các đối tác toàn cầu lớn, theo thông cáo báo chí mới nhất của hãng.

Do HBM4 và HBM4E cùng sử dụng quy trình DRAM 1c và kiến trúc base die 4nm, đồng thời HBM4 đã bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt, giới quan sát cho rằng các mẫu HBM4E vừa được xuất xưởng cũng đang ở vị thế thuận lợi để nhanh chóng chuyển sang sản xuất đại trà. Samsung cho biết hãng sẽ triển khai sản xuất hàng loạt HBM4E theo lộ trình và nhu cầu của từng khách hàng.

Song song với đó, Samsung tiếp tục mở rộng sản xuất và cung ứng HBM4, dòng HBM4 đầu tiên trên thế giới được đưa vào sản xuất hàng loạt và giao hàng từ tháng 2 năm nay. Trước đó, vào tháng 12 năm ngoái, HBM4 của Samsung đã đạt đánh giá cao nhất sau khi ghi nhận tốc độ 11,7Gbps dẫn đầu ngành trong các bài kiểm tra System-in-Package (SiP), giai đoạn chứng nhận cuối cùng trước khi thương mại hóa.

Theo News1, động thái mới giúp Samsung trở thành công ty đầu tiên cung cấp HBM4E ra thị trường. Các chuyên gia trong ngành cũng nhận định rằng từ thế hệ HBM4 trở đi, khả năng tùy biến theo yêu cầu khách hàng và năng lực cung ứng quy mô lớn sẽ trở thành yếu tố cạnh tranh quan trọng hơn bao giờ hết. Trong bối cảnh đó, lợi thế tích hợp của Samsung trên cả ba mảng bộ nhớ, foundry và đóng gói tiên tiến được kỳ vọng sẽ phát huy hiệu quả rõ nét hơn.

HBM4E Tăng Hơn 20% Hiệu Năng, Dung Lượng Cao Hơn 30%

Về hiệu năng, Samsung cho biết HBM4E là bước nâng cấp đáng kể so với thế hệ trước, với tốc độ pin ổn định đạt 14Gbps và có thể mở rộng lên tới 16Gbps cho các khối lượng công việc AI yêu cầu cao.

So với HBM4, bộ nhớ mới mang lại hiệu năng cao hơn 20% và đạt băng thông tối đa 3,6TB/s trên mỗi stack, giúp cải thiện đáng kể hiệu quả xử lý cho các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) và hệ thống AI thế hệ mới.

Ngoài ra, phiên bản HBM4E 12 tầng hiện có dung lượng 48GB, cao hơn hơn 30% so với thế hệ trước. Samsung cũng có kế hoạch mở rộng danh mục sản phẩm với các phiên bản 32GB (8 tầng) và 64GB (16 tầng) nhằm đáp ứng đa dạng nhu cầu của khách hàng.

Về hiệu quả năng lượng, hãng cho biết các kỹ thuật thiết kế tiết kiệm điện mới cùng kiến trúc đóng gói tối ưu đã giúp cải thiện hiệu suất năng lượng thêm 16%, đồng thời giảm hơn 14% điện trở nhiệt so với thế hệ trước.

Cuộc Đua HBM4E Giữa Samsung, SK hynix Và Micron

Trong khi Samsung đang tăng tốc, tiến độ phát triển HBM4E của SK hynix và Micron cũng đang nhận được nhiều sự chú ý từ thị trường.

Theo Yonhap News Agency, SK hynix ban đầu dự kiến bắt đầu gửi mẫu HBM4E trong nửa cuối năm nay. Tuy nhiên, các báo cáo gần đây cho thấy quá trình phát triển đang diễn ra thuận lợi hơn dự kiến, giúp hãng có thể đẩy nhanh tiến độ thương mại hóa.

Về phía Micron, công ty cho biết sản phẩm HBM4E đầu tiên sẽ tuân thủ tiêu chuẩn JEDEC và dự kiến bắt đầu tăng tốc sản xuất hàng loạt từ năm 2027, theo STOCK Analysis.

Cuộc đua HBM đang ngày càng nóng lên khi các nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu thế giới chạy đua đáp ứng nhu cầu AI bùng nổ. Với việc trở thành công ty đầu tiên cung cấp mẫu HBM4E, Samsung đang phát đi tín hiệu rõ ràng rằng hãng muốn giành lại vị thế dẫn đầu trong thị trường bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo.