Giá bộ nhớ tăng mạnh trong quý 1/2026: Samsung cảnh báo ASP tăng 146%

Khi Samsung Electronics và SK hynix công bố kết quả kinh doanh quý 1/2026 với doanh thu và lợi nhuận tăng trưởng mạnh nhờ giá bộ nhớ leo thang, cả hai hãng cũng đồng thời nhấn mạnh xu hướng tăng giá đáng chú ý trong giai đoạn này.

Theo báo cáo tài chính đầy đủ được Samsung công bố ngày 15/5, giá bán trung bình (ASP) của bộ nhớ, bao gồm DRAM và NAND, đã tăng khoảng 146% so với mức trung bình của cả năm 2025.

Dù Samsung không công bố riêng mức tăng của DRAM và NAND, hãng cho biết động lực chính đến từ nhu cầu mạnh đối với DRAM hiệu năng cao như HBM4 và DDR5, cùng NAND flash dành cho các SSD dung lượng lớn. Đây tiếp tục là động lực tăng trưởng quan trọng của mảng bộ nhớ thuộc bộ phận Device Solutions (DS).

Trong khi đó, báo cáo tài chính quý 1 của SK hynix, cũng công bố cùng ngày, cho thấy lượng DRAM xuất xưởng tính theo bit gần như giữ nguyên so với quý trước, nhưng ASP đã tăng ở mức trung bình hơn 60%, nhờ đà phục hồi rõ rệt của giá DRAM phổ thông.

NAND flash còn ghi nhận mức tăng mạnh hơn. Công ty cho biết sản lượng NAND xuất xưởng giảm khoảng 10% theo quý, nhưng ASP tăng ở mức trung bình hơn 70%, được hỗ trợ bởi xu hướng tăng giá trên diện rộng ở nhiều dòng sản phẩm.

Chi phí bộ nhớ tăng cao đang tái định hình hoạt động mua sắm của Samsung DX Tuy nhiên, giá bộ nhớ tăng mạnh cũng trở thành con dao hai lưỡi với Samsung. Theo báo cáo tài chính, chi phí bộ nhớ di động mà bộ phận DX (thiết bị hoàn thiện) phải chi trả đã tăng khoảng 107% so với mức trung bình cả năm trước.

Trong bối cảnh đó, ZDNet cho biết lần đầu tiên Samsung DX đã đưa “mobile memory” vào danh sách nguyên vật liệu cần theo dõi riêng trong cơ cấu mua sắm.

Trong quý 1, bộ nhớ di động chiếm 9,4% cơ cấu mua hàng của DX, nhỉnh hơn module camera (8,9%), nhưng vẫn thấp hơn chip xử lý ứng dụng di động (19,9%) và tấm nền hiển thị (10,2%). ZDNet cũng cho biết tổng giá trị mua sắm của DX đạt 1.993 nghìn tỷ won, trong đó Micron được liệt kê là một trong những nhà cung cấp bộ nhớ quan trọng.

Chi phí R&D tăng mạnh, thúc đẩy cuộc đua HBM4 và HBM4E

Ở chiều ngược lại, The Elec cho biết cả Samsung và SK hynix đều tăng mạnh đầu tư cho R&D, có thời điểm lên tới 68%, phản ánh sự cạnh tranh ngày càng quyết liệt trong cuộc đua phát triển bộ nhớ AI.

Theo báo cáo quý, chi phí R&D của Samsung trong quý 1 đạt 11.340 tỷ won, tăng 25,5% so với cùng kỳ. Chi tiêu vốn đạt 11.230 tỷ won, trong đó 10.190 tỷ won (tương đương 90,7%) được phân bổ cho bộ phận Device Solutions.

The Elec cho biết Samsung dự kiến chi hơn 110 nghìn tỷ won trong năm nay cho đầu tư vốn và R&D, nhằm tăng tốc phát triển bán dẫn AI và mở rộng sang các lĩnh vực mới như robotics thông qua hoạt động mua lại.

Đáng chú ý, Samsung cũng cập nhật tiến độ HBM khi cho biết hãng đã bắt đầu giao hàng HBM4 số lượng lớn từ tháng 2, dựa trên tiến trình DRAM 1c-class 10nm, với phần base die được sản xuất trên tiến trình 4nm của Samsung Foundry.

Hãng cũng đang đẩy nhanh phát triển HBM4E và dự kiến giao các lô mẫu đầu tiên trong quý 2. Trong khi đó, chi phí R&D quý 1 của SK hynix đạt 2.550 tỷ won, tăng 68,3% so với mức 1.520 tỷ won cùng kỳ năm trước, tương đương 4,9% doanh thu quý là 52.580 tỷ won.

Theo The Elec, đây là lần đầu tiên chi tiêu R&D hàng quý của SK hynix vượt mốc 2.000 tỷ won kể từ quý 4/2025. Trong giai đoạn 2022–2024, mức chi trung bình mỗi quý của hãng chỉ khoảng 1.110 tỷ won. The Elec cũng cho biết SK hynix đang chuẩn bị dòng HBM4E, hướng tới giao mẫu trong nửa cuối năm 2026 và sản xuất hàng loạt vào năm 2027.

Hãng đang phát triển base die trên công nghệ quy trình được tùy chỉnh theo yêu cầu hiệu năng của khách hàng, trong khi phần core die dự kiến sử dụng tiến trình DRAM 1c mới nhất.