Cuộc đua HBM4E nóng lên: Samsung, SK hynix và Micron tăng tốc HBM tuỳ biến

Cuộc đua HBM4 đang bước vào giai đoạn quyết liệt khi các hãng bộ nhớ lớn đồng loạt tăng tốc với HBM4E tuỳ biến. Samsung được cho là sẽ hoàn tất thiết kế vào giữa năm 2026, trong khi SK hynix và Micron cũng bám sát lộ trình tương tự, mở ra sự cạnh tranh trực diện ở phân khúc bộ nhớ phục vụ AI.

Khi HBM4 bắt đầu thu hút sự chú ý của thị trường trong năm nay, các nhà sản xuất bộ nhớ đang dồn lực cho HBM4E, nơi yếu tố tuỳ biến được kỳ vọng sẽ trở thành xu hướng chủ đạo. Theo The Elec, thiết kế HBM4E tuỳ biến của Samsung dự kiến hoàn tất vào khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm 2026. SK hynix và Micron cũng được cho là triển khai theo mốc thời gian tương đương.

The Elec cho biết HBM4 hiện vẫn chủ yếu dựa trên các thông số tiêu chuẩn chung, trong khi từ HBM4E trở đi, thiết kế theo yêu cầu khách hàng sẽ đóng vai trò ngày càng quan trọng. Để đáp ứng định hướng này, Samsung đã tổ chức song song hai nhóm HBM cho thiết kế tiêu chuẩn và thiết kế tuỳ biến ngay từ thế hệ HBM4, đồng thời bổ sung thêm khoảng 250 kỹ sư phục vụ các dự án nhắm tới Google, Meta và NVIDIA. Theo kỳ vọng của ngành, HBM4E có thể ra mắt vào năm 2027, còn HBM5 được định hướng xuất hiện vào khoảng năm 2029.

Samsung hiện cũng được cho là đã bước vào giai đoạn thiết kế backend cho base die của HBM4E. Thông thường, quá trình thiết kế một sản phẩm HBM kéo dài khoảng 10 tháng, trong đó giai đoạn backend chiếm khoảng 60 đến 70 phần trăm tổng thời gian. Giai đoạn này bao gồm thiết kế vật lý, bố trí và kết nối mạch sau khi hoàn tất phần logic front end RTL. Khi kết thúc, dữ liệu thiết kế sẽ được chuyển tới xưởng đúc để đưa vào sản xuất.

Base die giữ vai trò trung tâm trong HBM, đảm nhiệm điều khiển hoạt động đọc ghi dữ liệu và sửa lỗi cho từng lớp DRAM xếp chồng, qua đó quyết định hiệu năng và độ ổn định tổng thể. Vì vậy, khách hàng ngày càng yêu cầu HBM tuỳ biến, tích hợp thêm các chức năng logic ngay trong base die. Theo ZDNet, Samsung từng sử dụng tiến trình 4 nm cho die logic của HBM4 nhằm thương mại hoá trong năm nay, nhưng với HBM tuỳ biến, hãng đang nhắm tới bước nhảy lớn hơn khi hướng sang tiến trình 2 nm.

Ở phía đối thủ, SK hynix và Micron cũng tăng tốc theo cách riêng. The Elec dẫn nguồn tin trong ngành cho biết cả ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn hiện vẫn ở thế bám sát nhau trong cuộc đua HBM4E. Theo ZDNet, SK hynix đang hợp tác chặt chẽ với TSMC trong phát triển base die HBM thế hệ tiếp theo, đồng thời phối hợp với SanDisk để thúc đẩy tiêu chuẩn hoá High Bandwidth Flash. Korea Financial Times cho biết SK hynix dự kiến sử dụng tiến trình 12 nm cho các base die máy chủ phổ thông và nâng lên 3 nm cho các thiết kế cao cấp, nhắm tới GPU của NVIDIA và TPU của Google.

Trong khi đó, Micron được Tom’s Hardware cho biết đã lựa chọn TSMC để gia công base logic die cho HBM4E, với mục tiêu sản xuất từ năm 2027. Tuy nhiên, việc Micron tiếp tục duy trì tiến trình DRAM hiện tại để kiểm soát chi phí bị xem là bất lợi trong cuộc đua HBM tuỳ biến, khiến hãng được đánh giá là đang đi sau Samsung và SK hynix.