Khi bộ nhớ trở thành “vàng điện tử”

Thị trường bộ nhớ toàn cầu đang chứng kiến một đợt tăng giá chưa từng có, khi Samsung Electronics thông báo mức điều chỉnh lên đến 60% đối với chip nhớ. Sự leo thang mạnh mẽ này ngay lập tức gây áp lực lên các nhà sản xuất thiết bị hạ nguồn, từ smartphone, laptop, PC cho đến những ngành công nghiệp phụ thuộc nhiều vào lưu trữ.

Trong bối cảnh AI bùng nổ và công suất sản xuất DRAM lẫn NAND đang bị hút cạn, bộ nhớ đang ngày càng mang hình hài của một loại “vàng điện tử” – khan hiếm, đắt đỏ và được tranh giành quyết liệt.

Nhu cầu AI bùng nổ: Khi HBM và NAND trở thành tâm điểm

Động lực lớn nhất phía sau đợt tăng giá chip nhớ là nhu cầu HBM phục vụ AI, vốn đã chiếm gần như toàn bộ năng lực sản xuất DRAM của các nhà máy. Cùng với đó, nhu cầu suy luận AI tăng cao khiến thị trường NAND flash cũng nóng lên theo:

• Các mô hình AI toàn cầu tạo ra lượng truy cập khổng lồ — ví dụ API của OpenAI và Gemini đạt gần mười nghìn tỷ token mỗi ngày — buộc các hệ thống phải liên tục mở rộng không gian lưu trữ.
• Những bài toán suy luận tại các doanh nghiệp, dịch vụ khách hàng thông minh, xe tự hành hay ứng dụng thời gian thực đều yêu cầu dung lượng NAND lớn cùng tốc độ truy cập I/O cao.
• Khi các doanh nghiệp AI chuyển sang triển khai sản phẩm ở quy mô thương mại, nhu cầu lưu trữ toàn ngành đã tăng mạnh hơn so với hai năm đầu vốn chỉ tập trung vào huấn luyện mô hình.

Sự bùng nổ bất ngờ của nhu cầu doanh nghiệp trong năm nay khiến cung cầu bộ nhớ lệch pha nghiêm trọng, đẩy giá lên mức cao đột biến.

Chu kỳ bộ nhớ bước vào pha tăng trưởng mới

Ngành bộ nhớ luôn mang tính chu kỳ rõ rệt. Từ 2012 đến nay, thị trường đã đi qua nhiều vòng tăng – giảm khoảng bốn năm một lần. Tuy nhiên, chu kỳ hiện tại có nhiều điểm khác biệt:

• Ba chu kỳ trước được dẫn dắt chủ yếu bởi nhu cầu smartphone.
• Từ năm 2024, ngành bước sang một giai đoạn hoàn toàn mới khi các nhà sản xuất chủ động điều chỉnh sản lượng, ưu tiên sản phẩm giá trị cao như HBM và DDR5.
• Điều này khiến DDR4 bị cắt giảm sản xuất, bước vào giai đoạn cuối vòng đời, tạo ra sự thiếu hụt lớn ở phân khúc vốn từng rất phổ biến.

Trong khi cầu tăng lên mạnh mẽ, lượng tồn kho của các nhà sản xuất mô-đun chỉ còn khoảng 2 tháng, thấp hơn nhiều so với mức 4 tháng thông thường. Đây là lý do khiến giá tăng nhanh hơn so với các chu kỳ trước.

“Đảo ngược giá” và cuộc tranh giành nguồn cung DDR4

Một hiện tượng hiếm gặp đã xảy ra: DDR4 vượt giá DDR5.

Hiện tượng này xuất phát từ ba nhóm động lực chính:

• Các nhà sản xuất internet Bắc Mỹ và Trung Quốc tích trữ DDR4 để giảm rủi ro chi phí.
• Máy chủ doanh nghiệp tại Trung Quốc chuyển từ DDR5 sang DDR4 do hạn chế về CPU, khiến nhu cầu tăng ngược.
• Các thiết bị nhạy cảm về giá như router, camera, thiết bị công nghiệp, smartphone tầm trung cũng mua trước vì lo thiếu hàng.

Việc các nhà sản xuất DRAM ưu tiên lợi nhuận từ HBM và DDR5 càng khiến DDR4 trở thành mặt hàng khan hiếm, dẫn đến sự “đảo ngược giá” bất thường – một tín hiệu cho thấy thị trường đang ở trạng thái không lành mạnh.

Ngành điện thoại, PC và OEM đối mặt áp lực chưa từng có

Dù không phải lĩnh vực tiêu thụ nhiều bộ nhớ nhất, ngành điện thoại di động vẫn chịu ảnh hưởng rõ rệt vì quy mô lớn và nhạy cảm với giá:

• Bộ nhớ chiếm khoảng 18% chi phí BOM của smartphone, nhưng mức tăng giá hiện tại khiến các hãng khó giữ nguyên giá bán.
• Các thương hiệu lớn chỉ đảm bảo được khoảng 80% nguồn cung năm sau, còn các nhà sản xuất hạng hai thậm chí chỉ nắm được 60%.
• Khi hàng tồn kho giá rẻ cạn dần, áp lực chi phí sẽ truyền thẳng vào giá thành sản phẩm.

Trong khi đó, các OEM/ODM phần cứng như Dell, HP, ASUS — theo dự báo của Morgan Stanley — có thể chứng kiến biên lợi nhuận gộp giảm tới 60% trong năm 2026, do giá DRAM và NAND đã tăng tương ứng tới 300% và 50% chỉ trong nửa năm.

Tác động đến quá trình nâng cấp công nghệ: DDR5 có nguy cơ chậm lại

Một vấn đề dài hạn đang được các chuyên gia cảnh báo: nếu các nhà sản xuất tiếp tục ưu tiên DDR4 do biên lợi nhuận ngắn hạn, quá trình dịch chuyển sang DDR5 sẽ bị chậm lại. Điều này có thể làm:

• Giảm tốc độ nâng cấp của ngành máy chủ toàn cầu.
• Gây tụt hậu so với các nền tảng mới của Intel và AMD vốn đã chuẩn hóa DDR5.
• Làm suy yếu khả năng cạnh tranh của chính các nhà sản xuất DRAM trong tương lai.

Trong bối cảnh AI cần băng thông cao hơn bao giờ hết, việc chậm nâng cấp DRAM có thể ảnh hưởng dây chuyền đến toàn bộ hệ sinh thái tính toán hiệu năng cao.

Câu chuyện mới: HBF – Lời giải thay thế cho bài toán chi phí của HBM?

HBM mang lại băng thông vượt trội nhưng dung lượng thấp và giá thành quá cao. Điều này mở ra cơ hội cho HBF (Hybrid Bonded Flash) – công nghệ mới dựa trên chip NAND, đang được SanDisk và SK hynix thúc đẩy tiêu chuẩn hóa.

HBF có một số ưu điểm đáng chú ý:

• Dung lượng lớn gấp 8–16 lần so với HBM ở cùng mức chi phí.
• Có thể cung cấp dữ liệu trực tiếp cho GPU, rút ngắn độ trễ và giảm chi phí suy luận AI.
• Phù hợp với các tác vụ cần đọc dữ liệu chuyên sâu như AI on-device, xe tự hành, hoặc xử lý mô hình lớn trên thiết bị di động.

Tuy nhiên, HBF cũng có những hạn chế:

• NAND có tuổi thọ giới hạn, không phù hợp để đóng gói chung với GPU đắt tiền.
• Yêu cầu nhiệt độ vận hành thấp hơn DRAM, gây khó khăn trong thiết kế hệ thống.

Giới công nghệ kỳ vọng tương lai sẽ xuất hiện kiến trúc lai HBM + HBF, trong đó HBF đóng vai trò bộ nhớ phụ dung lượng lớn, giúp giảm đáng kể chi phí vận hành mô hình AI.

Từ DRAM đến NAND, từ HBM đến các công nghệ lai như HBF, mọi phân khúc bộ nhớ đều đang bước vào giai đoạn cạnh tranh khốc liệt, nơi nguồn cung bị thắt lại và nhu cầu tăng nhanh chưa từng có. Trong ngắn hạn, giá bộ nhớ có thể còn tiếp tục tăng. Trong dài hạn, cách các nhà sản xuất cân bằng giữa lợi nhuận và nâng cấp công nghệ sẽ quyết định trật tự mới của ngành bán dẫn.